Language
7.5A 600V Modo de mejora de canal N Power Mosfet F8n60 to-220f

Productos

HogarHogar / Productos / MOSFET / Detalles
search
CATEGORÍAS
MOSFET
PRODUCTO
Condensador Cerámico X2 184/630V P15 6um

Condensador Cerámico X2 184/630V P15 6um
Condensador multicapa cerámico de valor fijo de chip Mlcc de alto voltaje, alto Q y baja inductancia 15kv 222 2.2NF 0.0022UF para aplicaciones automotrices/industriales/de consumo

Condensador multicapa cerámico de valor fijo de chip Mlcc de alto voltaje, alto Q y baja inductancia 15kv 222 2.2NF 0.0022UF para aplicaciones automotrices/industriales/de consumo
36V LiFePO4 BMS 12s 15A-60A 18650 Paquetes de batería BMS PCB Placa de protección Balance Circuitos integrados

36V LiFePO4 BMS 12s 15A-60A 18650 Paquetes de batería BMS PCB Placa de protección Balance Circuitos integrados
Capacitores cerámicos multicapa 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%

Capacitores cerámicos multicapa 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%
Capacitores cerámicos multicapa 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10%

Capacitores cerámicos multicapa 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10%
Envíe su consulta
ENTREGAR
7.5A 600V Modo de mejora de canal N Power Mosfet F8n60 to-220f

7.5A 600V Modo de mejora de canal N Power Mosfet F8n60 to-220f

7.5A 600V Modo de mejora de canal N Power Mosfet F8n60 to-220f

Envíe su consulta

DESCRIPCIÓN

Información básica
N º de Modelo.F8n60
Número de lote2021
Marcawxdh
Paquete de transporteTubo
Marca comercialWXDH
OrigenWuxi, China
Código hs8541290000
Descripción del Producto

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

Descripción
Estos VDMOSFET mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y aumenta la energía de avalancha. Que concuerda con el estándar RoHS.
PARÁMETROSÍMBOLOVALORUNIDAD
8N60/I8N60/E8N60/B8N60/D8N60F8N60
Voltaje máximo de CC de fuente DrianVSD600V
Voltaje máximo de drenaje de puertaVSG±30V
Corriente de drenaje (continua)ID(T=25ºC)7.5A
(T=100ºC)4.8A
Corriente de drenaje (pulsada)IMD30A
Energía de avalancha de un solo pulsomiCOMO400mJ
Recuperación máxima de diodos dv/dtdv/dt5V/ns
Disipación TotalTa=25ºCpunto22W
CT=25ºCpunto10035W
Temperatura de la UniónTj150C
temperatura de almacenamientoTetapa-55~150C
Características
Cambio rápido
Capacidad mejorada ESD
Resistencia de encendido baja (Rdson≤1.3Ω)
Carga de puerta baja (Tipo: 24nC)
Capacitancias de transferencia inversa bajas (Typ: 5.5pF)
Prueba de energía de avalancha de pulso único 100%
Prueba 100% ΔVDS
Aplicaciones
utilizado en varios circuitos de conmutación de energía para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia.
Circuito de interruptor de alimentación de balasto de electrones y adaptador.
Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo del ProductoTipo de paqueteNombre de la marcaRoHSPaqueteCantidad
8N60TO-220C8N60Gratis PBTubo1000/caja
F8N60TO-220FF8N60Gratis PBTubo1000/caja
B8N60TO-251B8N60Gratis PBTubo3000/caja
D8N60TO-252D8N60Gratis PBCarrete de cinta2500/caja
I8N60TO-262I8N60Gratis PBTubo1000/caja
E8N60TO-263E8N60Gratis PBCarrete de cinta800/caja

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f


Productos relacionados