Transistor bipolar de puerta aislada IGBT G25t120d a-247

DESCRIPCIÓN

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

PARÁMETRO		SÍMBOLO	CLASIFICACIÓN	UNIDAD

Tensión colector-emisor		V_CES	1200	V
Voltaje de puerta-emisor		V_GES	±20	V
Colector de corriente		I_C(T=25ºC)	50	A
Colector de corriente		(Tc=100ºC)	25	A
Corriente de colector pulsada		I_CM	75	A
Corriente directa continua de diodo		I_F@TC = 100 °C	25	A
Corriente directa máxima de diodo		I_FM	75	A
Disipación Total	T_C=25ºC	PAG_D	278	W
	T_C=100ºC	PAG_D	111	W
Temperatura de la Unión		T_j	150	C
temperatura de almacenamiento		T_etapa	-55~150	C

Características

Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo

Voltaje de baja saturación: V_{CE (pueblo)}, tipo = 2.0V
@ I_C=25A y T_C= 100°C

Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

Aplicaciones

Aire acondicionado

Soldadura

UPS

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo del Producto	Tipo de paquete	Nombre de la marca	RoHS	Paquete	Cantidad
G25T120D	TO-247	G25T120D	Gratis PB	Tubo	300/caja

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

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