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Transistor del paquete del Mosfet G30n03D3 30V 30A Dfn del canal N para la carga rápida
MOSFET G30N03D3 de canal N Transistor de paquete DFN de 30 V y 30 A para carga rápida Descripción general El G30N03D3 u
Envíe su consultaDESCRIPCIÓN
Información básica
N º de Modelo. | G30N03D3 |
Tiempo de espera | 4~6 semanas |
Paquete de transporte | Caja de cartón |
Especificación | paquete DFN |
Marca comercial | COMODIDAD |
Origen | Porcelana |
Código hs | 8541290000 |
Descripción del Producto
Transistor de paquete N Channel MOSFET G30N03D3 30V 30A DFN para carga rápidaDescripción general El G30N03D3 utiliza tecnología de trinchera avanzada para proporcionar un excelente RDS (ON), carga de compuerta baja. Se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones.
Características generales
Características generalesVDS 30 V ID (a VGS = 10 V) 30 A RDS (encendido) (a VGS = 4,5 V) <12 mΩ 100 % probado contra avalanchas Cumple con RoHS
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embalaje
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Clientes Principales
Desde su fundación en 1995, Goford Semiconductor se ha convertido en una empresa global con oficinas en EE. UU., Hong Kong, Australia, Shenzhen y Jiangsu. Siempre nos hemos dedicado a la I+D y las ventas de productos de mosfets de potencia. Nos enfocamos en la eficiencia energética, la movilidad y la confiabilidad para proporcionar productos rentables al mercado.
Las aplicaciones de nuestros productos son: cigarrillos electrónicos, línea de datos de Apple, atenuación de LED, fuente de alimentación móvil, enchufe USB, etc. Brindamos un sólido soporte técnico para nuestros productos. Con un gran volumen de ventas, podemos garantizar una buena competitividad tanto en calidad como en precio.
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