Transistor del paquete del Mosfet G30n03D3 30V 30A Dfn del canal N para la carga rápida

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Transistor del paquete del Mosfet G30n03D3 30V 30A Dfn del canal N para la carga rápida

Transistor del paquete del Mosfet G30n03D3 30V 30A Dfn del canal N para la carga rápida

MOSFET G30N03D3 de canal N Transistor de paquete DFN de 30 V y 30 A para carga rápida Descripción general El G30N03D3 u

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DESCRIPCIÓN

Información básica
N º de Modelo.G30N03D3
Tiempo de espera4~6 semanas
Paquete de transporteCaja de cartón
Especificaciónpaquete DFN
Marca comercialCOMODIDAD
OrigenPorcelana
Código hs8541290000
Descripción del Producto
Transistor de paquete N Channel MOSFET G30N03D3 30V 30A DFN para carga rápida
Descripción general El G30N03D3 utiliza tecnología de trinchera avanzada para proporcionar un excelente RDS (ON), carga de compuerta baja. Se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones.

Características generales
Características generalesVDS 30 V ID (a VGS = 10 V) 30 A RDS (encendido) (a VGS = 4,5 V) <12 mΩ 100 % probado contra avalanchas Cumple con RoHS

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N Channel Mosfet G30n03D3 30V 30A Dfn Package Transistor for Fast Charge

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Las aplicaciones de nuestros productos son: cigarrillos electrónicos, línea de datos de Apple, atenuación de LED, fuente de alimentación móvil, enchufe USB, etc. Brindamos un sólido soporte técnico para nuestros productos. Con un gran volumen de ventas, podemos garantizar una buena competitividad tanto en calidad como en precio.

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