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Jun 17, 2023

El tamaño del mercado mundial de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) superará los USD 16,82 mil millones para 2032

El tamaño del mercado mundial de transistores de alta movilidad de electrones se valoró en USD 7,51

El tamaño del mercado mundial de transistores de alta movilidad de electrones se valoró en USD 7510 millones en 2022 y se espera que el mercado mundial de transistores de alta movilidad de electrones alcance los USD 16820 millones para 2032, según un informe de investigación publicado por Spherical Insights & Consulting. Empresas cubiertas: Ampleon, Mitsubishi Electric, Fujitsu, TOSHIBA, Infineon, Renesas Electronics, Cree, Qorvo, Microsemi, Wolfspeed, Lake Shore Cryotronics, ST Microelectronics, Texas Instruments, Oki Electric y entre otras.

Nueva York, Estados Unidos, 01 de junio de 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- ElTamaño del mercado global Transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) crecerá de USD 7510 millones en 2022 a USD 16820 millones en 2032, a una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 8,4 % durante el período proyectado. Se espera que la creciente adopción de semiconductores de potencia para una alta confiabilidad y alta eficiencia en varias industrias, incluidas la electrónica de consumo, automotriz, industrial, aeroespacial y de defensa, entre otras, aumente la demanda del mercado de transistores de alta movilidad de electrones durante el período de pronóstico.

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El transistor de alta movilidad de electrones, o HEMT, es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) con una relación de ruido extremadamente baja y altos niveles de eficiencia en las frecuencias de microondas. El arseniuro de aluminio y galio (AlGaAs) y el arseniuro de galio (GaAs) fueron dos de los materiales más utilizados en la fabricación de transistores de alta movilidad de electrones. Los transistores de alta movilidad de electrones, que pueden funcionar en frecuencias de longitud de onda milimétrica, se utilizan en dispositivos de alta frecuencia como teléfonos móviles, receptores de televisión por satélite, dispositivos de conversión de energía y sistemas de detección de radar. La creciente demanda de productos electrónicos de consumo por parte de los consumidores, así como la creciente demanda de sistemas de energía rentables, se encuentran entre las principales tendencias que impulsan el aumento del mercado de transistores de alta movilidad de electrones. Los transistores de alta movilidad de electrones son producidos por la gran mayoría de los fabricantes de dispositivos semiconductores en todo el mundo. Pueden ser transistores discretos, pero hoy en día se ven más típicamente en circuitos integrados. Además, los impulsores importantes que conducen al crecimiento del mercado mundial de transistores de alta movilidad de electrones son mayores gastos, crecimiento y desarrollo de dispositivos HEMT, y avances tecnológicos en el sector de transistores de alta movilidad de electrones.

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El segmento de nitruro de galio (GaN) domina el mercado con la mayor participación de ingresos durante el período de pronóstico.

Según el tipo, el mercado mundial de transistores de alta movilidad de electrones se segmenta en nitruro de galio (GaN), carburo de silicio (SiC), arseniuro de galio (GaAs) y otros. Entre estos, el segmento de nitruro de galio (GaN) domina el mercado con la mayor participación de ingresos del 48,6% durante el período de pronóstico. A diferencia de las tecnologías tradicionales como el silicio (SI) o el arseniuro de galio (GaAs), los dispositivos HEMT más intrigantes de la actualidad se basan en el nitruro de galio (GaN), un material que proporciona alta calidad, alta densidad de potencia y gran transmisión amplia.

El segmento de electrónica de consumo representó la mayor parte de los ingresos de más del 36,2% durante el período de pronóstico.

Sobre la base de los usos finales, el mercado global de transistores de alta movilidad de electrones está segmentado en electrónica de consumo, automotriz, industrial, aeroespacial y de defensa, y otros. Entre estos, el segmento de electrónica de consumo domina el mercado con la mayor participación de ingresos del 36,2% durante el período de pronóstico. Los semiconductores de transistores de alta movilidad de electrones se emplean en la electrónica de consumo debido a sus aplicaciones superiores de banda ancha, bajo ruido y alta frecuencia. Los HEMT son los mejores dispositivos para amplificación, oscilación y generación de señales.

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América del Norte tiene una cuota de mercado dominante en el mercado de transistores de alta movilidad de electrones durante el período previsto.

América del Norte domina más del 38,7% del mercado de transistores de alta movilidad de electrones durante el período previsto. Este dominio del mercado puede atribuirse a su amplio uso en industrias que incluyen electrónica de consumo, aviones, automóviles y otras. Por el contrario, se pronostica que Asia Pacífico crecerá más rápido durante el período de pronóstico.

Análisis competitivo:

El informe ofrece el análisis apropiado de las organizaciones/empresas clave involucradas en el mercado global junto con una evaluación comparativa basada principalmente en su oferta de productos, descripciones comerciales, presencia geográfica, estrategias empresariales, participación de mercado de segmento y análisis FODA. El informe también proporciona un análisis elaborado centrado en las noticias y desarrollos actuales de las empresas, que incluye desarrollo de productos, innovaciones, empresas conjuntas, asociaciones, fusiones y adquisiciones, alianzas estratégicas y otros. Esto permite la evaluación de la competencia general dentro del mercado. Los principales proveedores en el mercado mundial de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) incluyen Ampleon, Mitsubishi Electric, Fujitsu, TOSHIBA, Infineon, Renesas Electronics, Cree, Qorvo, Microsemi, Wolfspeed, Lake Shore Cryotronics, ST Microelectronics, Texas Instruments, Oki Electric y entre otros.

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Desarrollos recientes

En mayo de 2023, ROHM Semiconductor anunció la producción en masa de los HEMT GNP1070TC-Z y GNP1150TCA-Z de GaN (nitruro de galio) de 650 V. Estos dispositivos fueron diseñados para una variedad de aplicaciones en sistemas de suministro de energía. Juntos, Delta Electronics, Inc. y Ancora Semiconductors, Inc., una subsidiaria que crea dispositivos GaN, han desarrollado estos productos innovadores. Un obstáculo importante para establecer una civilización descarbonizada es aumentar la eficiencia de las fuentes de energía y los motores, que consumen la mayor parte de la electricidad del mundo. La adopción de materiales novedosos como GaN y SiC es esencial para aumentar la eficiencia del suministro de energía.

En junio de 2021, ST Microelectronics presentó una nueva serie de piezas de GaN llamada STi2GaN, que significa ST GaN inteligente e integrado. Para garantizar la durabilidad y la fiabilidad, las piezas utilizan la tecnología de embalaje sin cables de unión de ST. La nueva serie de productos busca utilizar la excelente densidad de potencia y eficiencia de GaN para proporcionar una gama de dispositivos de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de 100 V y 650 V.

Segmento de mercado

Este estudio pronostica ingresos a nivel mundial, regional y nacional desde 2020 hasta 2032. Spherical Insights ha segmentado el mercado global Transistor de alta movilidad de electrones en función de los segmentos mencionados a continuación:

Mercado de transistores de alta movilidad de electrones, análisis de tipo

Nitruro de galio (GaN)

Carburo de silicio (SiC)

Arseniuro de galio (GaAs)

Otros

Mercado de transistores de alta movilidad de electrones, análisis de usuarios finales

Electrónica de consumo

Automotor

Industrial

Aeroespacial

Otros

Mercado de transistores de alta movilidad de electrones, análisis regional

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