100A 30V Modo de mejora de canal N Power Mosfet 30h10K to-252b

MOSFET de potencia 1 de modo de mejora de canal N de 100 A y 30 V Descripción Estos VDMOSFET mejorados de canal N utili

DESCRIPCIÓN

Información básica

N º de Modelo.	30H10K
Número de lote	2021
Marca	wxdh
Paquete de transporte	Carrete de cinta
Marca comercial	WXDH
Origen	Wuxi, China
Código hs	8541290000

Descripción del Producto

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b

MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100 A y 30 V
1. Descripción
Estos VDMOSFET mejorados de canal N utilizados
diseño avanzado de tecnología de zanjas, siempre excelente
RDSON y carga de puerta baja. Lo cual concuerda con el
estándar RoHS.

Características

Cambio rápido

Resistencia de encendido baja (Rdson≤0.55mΩ)

Carga de puerta baja (Tipo: 43nC)

Capacitancias de transferencia inversa bajas (Typ: 215pF)

Prueba de energía de avalancha de pulso único 100%

100% V_SDPrueba

Aplicaciones

Aplicaciones de conmutación de potencia

Sistema de gestión de inversores

Herramientas electricas

Electrónica automotriz

PARÁMETRO		SÍMBOLO	VALOR		UNIDAD
			30H10/30H10I/30H10E/30H10K/30H10B	30H10F
Voltaje máximo de CC de fuente Drian		V_SD	30		V
Voltaje máximo de drenaje de puerta		V_SG	±20		V
Corriente de drenaje (continua)		I_D(T=25ºC)	100		A
		(T=100ºC)	70		A
Corriente de drenaje (pulsada)		I_MD	280		A
Energía de avalancha de un solo pulso		mi_COMO	200		mJ
Disipación Total	Ta=25ºC	punto	2	2	W
	CT=25ºC	punto	60	24	W
Temperatura de la Unión		T_j	-55~150		C
temperatura de almacenamiento		T_etapa	-55~150		C

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo del Producto	Tipo de paquete	Nombre de la marca	RoHS	Paquete	Cantidad
30H10	TO-220C	30H10	Gratis PB	Tubo	1000/caja
30H10F	TO-220F	30H10F	Gratis PB	Tubo	1000/caja
30H10B	TO-251	30H10B	Gratis PB	Tubo	3000/caja
30H10K	TO-252	30H10K	Gratis PB	Carrete de cinta	2500/caja
30H10I	TO-262	30H10I	Gratis PB	Tubo	1000/caja
30H10E	TO-263	30H10E	Gratis PB	Carrete de cinta	800/caja

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